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microMIRA 激光剝離（LLO）系統(tǒng)可在高速加工條件下，實(shí)現(xiàn)晶圓上不同薄膜層高度均勻且無機(jī)械應(yīng)力的剝離。由于氮化鎵（GaN）基MicroLED通常利用藍(lán)寶石襯底與其相似的晶體結(jié)構(gòu)進(jìn)行外延生長(zhǎng)，因此大多數(shù)GaN基MicroLED都生長(zhǎng)在藍(lán)寶石上。然而，從藍(lán)寶石這類透明且昂貴的材料上進(jìn)行剝離是一項(xiàng)重大挑戰(zhàn)，只有激光技術(shù)才能在保證合理生產(chǎn)效率的前提下實(shí)現(xiàn)這一工藝。microMIRA 激光系統(tǒng)特別適